|
|
Введение
Современные технологические процессы, физические методы исследования поверхности твердых тел требуют
условий сверхвысокого вакуума. Элементы устройств электронной техники
микронных и субмикронных размеров получают методом молекулярно-лучевой
эпитаксии (МЛЭ) в условиях контролируемого сверхвысокого вакуума,
минимизирующего влияние остаточных газов на технологический процесс. Этим
методом формируют принципиально новые материалы – полупроводниковые сверхрешетки и
магнитные мультислойные структуры, физические свойства которых можно
варьировать изменением технологических параметров. В свою очередь новые технологии
стимулируют развитие новых методов анализа элементного состава,
кристаллической структуры, химических связей поверхностных слоев толщиной в
несколько нанометров. Такой анализ возможен только в условиях сверхвысокого
вакуума, так как
даже в обычном
высоком вакууме 10-3¼10‑4 Па атомарно чистая поверхность
покрывается монослоем адсорбата за несколько секунд. Поэтому проблемы получения,
поддержания и контроля сверхвысокого вакуума приобретают в современных
технологиях и методах исследования все большее значение. Лабораторный
практикум содержит описание лабораторных работ, выполнение которых
осуществляется на базе технологического комплекса МЛЭ «Ангара».
При выполнении первой работы студенты знакомятся с откачным оборудованием
сверхвысокого вакуума, приобретают навыки работы на нем. Вторая работа посвящена изучению
методов контроля в условиях сверхвысокого вакуума с помощью масс-спектрометра
остаточной атмосферы в установке МЛЭ; в работе дается подробное описание
принципов работы и конструкций масс-спектрометров. Лабораторная работа № 3 знакомит с
методами поиска течей в вакуумных установках. Выполнение
данных лабораторных работ будет полезно для студентов различных
специальностей, учебные курсы которых содержат разделы, посвященные изучению
вакуумного оборудования, вакуумных технологий, методов исследования
материалов в условиях сверхвысокого вакуума. |
|