УСЛОВНЫЕ  ОБОЗНАЧЕНИЯ

 

     n -  (индекс)  порядковый  номер;

с - скорость света, с_о - скорость света в вакууме;

е - обозначение  электрона;

е_о,  m_о* - заряд  и  эффективная  масса  электрона;

n_о -  концентрация  свободных  электронов  в  материале;

Е_n -  энергетические  уровни  (энергетические состояния);

e_n,n+1 -  разность  энергий  между  энергетическими  состояниями;

n_n(E_n)  -  заселенность  уровней;

t_n -  время  жизни  электрона  на  энергетическом  уровне;

hn -  энергия  фотона;

n_n -  обозначения  колебательных  мод;

n_n -   квантовые  числа  колебательных  мод;

Е_g -  ширина  запрещенной  зоны;

V_c -  критическая  средняя  скорость  накачки.

 

n_c -   частота столкновений,  при котором происходит изменение импульса;

n_э.ф -  частота  электрон-фотонных  столкновений;

n_э.э -  частота  электрон-электронных  столкновений;

n_э.и -  частота  электрон-ионных  столкновений;

n_и.и -  частота  ион-ионных  столкновений;

t_р, t_э -  время разогрева кристаллической решетки и электронов проводимости.

 

l  - длина  волны;

l_г -  длина  генерируемой  волны;

l_и -  длина  волны  излучения  или  импульса  излучения;

l_n -  набор  длин  волн  белого  светового  излучения.

f -  частота  волны; 

f_г -  частота  генерируемой  волны;

Df_г -  частотный  диапазон  спектра линии генерации (ширина линии генерации);

t -  длительность;

t_и -  длительность  импульса  излучения;

g -  степень  когерентности  излучения;

t_к -  время  когерентности  излучения;

L_к ,  S_к -  длина  и  область  когерентности  излучения;

i - индекс моды.

q_о , q_н - насыщенный и ненасыщенный коэффициент усиления;

E_max, E_min -  максимальная и минимальная интенсивности освещенности интерференционных полос;

Q -  потери  в  резонаторе;

l, D -  длина  и  диаметр  резонатора  (активной среды);

Dl -  флуктуация  линейного  размера  резонатора  (активной среды);

t_и.л - длительность светового импульса  лампы накачки.

 

I -  интенсивность волны;

I_о - интенсивность излучения;

I_г -  интенсивность  генерируемой  волны;

I_н -  насыщенная  интенсивность  излучения;

I_о,  I_о1,2,3  -  плотность  и  критические  плотности  излучения;

I(z) -  распределение  интенсивности излучения  по глубине  материала;

I(o) -  интенсивность  излучения на  поверхности  материала;

k_I - коэффициент распределения интенсивности по сечению пучка излучения;

W -  мощность волны;

W_и - мощность  импульса  излучения;

W_л -  выходная  мощность  непрерывного излучения  лазера;

W_с -  средняя  выходная  мощность  импульсного  лазерного  излучения;

Е -  энергия  волны; 

Е_и -  энергия  излучения;

     Q - расходимость волны;

Q_d - расходимость пучка излучения диаметром d_o;

Q_c -  расходимость  излучения,  обусловленная  дифракцией;

Q_г -  расходимость  излучения  при  его  телескопическом  расширении.

 

a, R -  коэффициенты  поглощения  и  отражения  света;

А -  поглощающая  способность материала;

n -  коэффициент  преломления  света;

Y -  преломляющий  угол  призмы,  бипризмы;

Ф -  фокусное  расстояние;

Ф_г - фокусное расстояние  для  генерируемой волны;

Ф_n -  фокусные  расстояния  для отдельной  монохроматической  волны;

Г -  увеличение  телескопической  системы;

d_o -  диаметр пучка излучения,  диаметр  выфрезерованного  отверстия лазерным  излучением;

d_г,  r_г -  диаметр и  радиус пятна  сфокусированного  лазерного  (генерированного)  излучения;

d_о^г -  диаметр  телескопически  расширенного  пучка;

d_сп - диаметр светового пучка на поверхности обрабатываемого  материала;

d_s -  диаметр  сфокусированного  белого  света;

d -  скин-слой;

с_n -  теплоемкость;

x -  коэффициент  температуропроводности;

c -  коэффициент  теплопроводности;

c_э, c_ф, c_л -  коэффициенты   электронной,  фононной и лучевой теплопроводности;

Т -  температура; 

Т_о - температура  окружающей  среды;

Т_п,  Т_и  и  Т_к -  температуры  плавления,  испарения  и  кипения;

Т_ип -  температура  испаряющейся  поверхности;

Т_с -  установившаяся  температура;

Т_пдл, Т_э  -  температуры  подложки  и  эпитаксии;

L_и -  удельная  теплота  испарения.

 

z -  глубина  воздействия  излучения;   z_пр - глубина  прогретого  слоя;

z_п  и  z_и -  глубина  плавления  и  испарения  (глубина проделанного отверстия  за  счет  испарения);

t -  время  излучения;  

t_n -  время облучения  (t₁, t₂  и  т.д.)

t_п,  t_к  и  t_и -  время  воздействия,  достаточное  для  установления  температуры  плавления  кипения  и  испарения;

u_о -  скорость  перемещения  лазерного пучка;

u_t -  скорость  распространения  тепла.

 

Е_а -  энергия  активации  процесса;

E_i -  энергия  частиц  (ионов);

I_p -  ток  тлеющего  разряда;

U -  приложенное  электрическое  напряжение;

p -  давление  газа  или  остаточных  газов  в  вакууме;

P -  вес  материала; 

DP -  испарившаяся  часть  материала;

r,  g  -  плотность,  удельный  вес  материала;

l_с.п -  длина  свободного  пробега  частиц  (атомов);

h -  толщина  осажденного  слоя  (пленки);

u_и,  u_п -  скорости  испарения  материала  и  осаждения  пленки;

u_п^о -  мгновенная  скорость осаждения пленки при импульсном испарении.